Dve back-to-back dioda PN spoj Bipolarna križišču tranzistor. Naprej pristranskosti EB vozel luknje vbrizga iz regije onesnaževalec, CB v obratnem pristranskosti križišču pregrado pod vplivom električnega polja zbiralec področje, tvorijo collector trenutni IC. Večina zbiralca pristranskosti napetosti med je oddajnik in se doda na povratne pristranski zbiralec.
Če tranzistor #39; s oddajnik trenutni okrepitvijo koeficient β = IC/IB = 100, zbiralec trenutni IC = beta * IB = 10mA. Če izmenično base, zlaganje v pristranskost vezje za majhne trenutni IB, se pojavi v vezje zbiralec ustrezne izmenični tok IC, c/IB = beta, bipolarni tranzistor #39; s trenutno ojačanja je realiziran.